Journal of Semiconductors期刊2024年亮点文章
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亮点文章
240 nm AlGaN-based deep ultraviolet micro-LEDs: size effect versus edge effect
Shunpeng Lu et al 2024 J. Semicond. 45 012504
Two-step growth of β-Ga2O3 on c-plane sapphire using MOCVD for solar-blind photodetector
Peipei Ma et al 2024 J. Semicond. 45 022502
Development of in situ characterization techniques in molecular beam epitaxy
Chao Shen et al 2024 J. Semicond. 45 031301
Physical insights into trapping effects on vertical GaN-on-Si trench MOSFETs from TCAD
Nicolò Zagni et al 2024 J. Semicond. 45 032501
Bohan Yang et al 2024 J. Semicond. 45 040204
Complementary memtransistors for neuromorphic computing: How, what and why
Qi Chen et al 2024 J. Semicond.45 061701
70 Gbps PAM-4 850-nm oxide-confined VCSEL without equalization and pre-emphasis
Anjin Liu et al 2024 J. Semicond. 45 050501
Recent advances in two-dimensional photovoltaic devices
Haoyun Wang et al 2024 J. Semicond.45 051701
A 256 Gb/s electronic−photonic monolithically integrated transceiver in 45 nm CMOS
Ang Li et al 2024 J. Semicond. 45 070501
Danrui Wan et al 2024 J. Semicond. 45 082402
InGaZnO-based photoelectric synaptic devices for neuromorphic computing
Jieru Song et al 2024 J. Semicond. 45 092402
Jie Ma et al 2024 J. Semicond. 45 101201
Recent developments in superjunction power devices
Chao Ma et al 2024 J. Semicond. 45 111301
PZT photonic materials and devices platform
Yujun Xie et al 2024 J. Semicond. 45 120501
期刊介绍
- 2023年影响因子：4.8 Citescore：6.7
- Journal of Semiconductors（JOS，《半导体学报》）由中国电子学会和中国科学院半导体研究所共同出版，涵盖半导体物理、材料、器件、电路及相关技术的最新成果和发展动态。JOS涉及内容范围广泛，包括：传统半导体的物理、材料和器件；基于有机和钙钛矿半导体的光电器件；光电器件和集成；微电子器件和（集成）电路；半导体自旋电子学；柔性电子学；半导体和新能源；宽带隙半导体；半导体量子器件和物理；二维材料和相关物理和设备等。