JPhysD编辑优选:±320 kV 气体绝缘输电线路(GIL)中的微粒运动及陷阱设计

25 5月 2023 gabriels
本篇研究来自清华大学电机系。本文研究的9种微粒在±320 kV GIL中最低起跳电压为-190 kV。球状和块状微粒起跳后在导体和外壳间做往复运动;线状微粒易在导体附近做飞莹运动;微粒靠近绝缘子时,有概率被吸引并附着于绝缘子表面。覆膜对提升微粒起跳电场有明显效果;微粒落入陷阱概率与孔隙率有一定正相关关系;交流陷阱在直流下捕获率较低,无法直接应用于直流GIL。


文章介绍

Particle behaviors and trap design for ±320 kV gas-insulated power transmission line (GIL)

Weijian Zhuang(庄伟建),Zuodong Liang(梁作栋),Fangwei Liang(梁芳蔚),Xianhao Fan(范贤浩),Hanhua Luo(罗汉华),Jun Hu(胡军),Chuanyang Li(李传扬),Bo Zhang(张波)and Jinliang He(何金良)

通讯作者:

  • 李传扬,清华大学
  • 张波,清华大学
  • 何金良,清华大学

 

研究背景:

直流GIL中微粒运动与交流GIL微粒运动存在本质区别。直流下,微粒在远低于运行电压时即发生导体间持续快速往复弹跳,并有概率吸附在绝缘子表面,引入大量表面电荷,而对于长宽比大于一定数值的微粒容易在高压导体附近做“飞萤”运动。

直流GIL微粒抑制方面的工作主要聚焦于微粒陷阱、表面覆膜及诱导电极,采用模型开展试验研究。作者前期试验结果表明,略微提升绝缘子表面电导率可提升微粒起跳电压,抑制微粒运动活性2

然而,模型研究与真实设备研究存在不同:(1)真实尺寸微粒运动速度及加速度有别于模型中微粒运动。真实GIL中,微粒经过更长的加速距离,速度更快,动能更高,这导致触及地电极后的弹起高度不同,脱陷率存在不同;(2)模型中的微粒及气体绝缘距离尺度比有别于真实GIL,这导致很多现象与真实情况不同,比如长宽比较高的微粒在真实情况下更容易有飞萤运动特征 1

因此,需要基于真实尺寸直流GIL开展微粒运动特征及微粒活性抑制研究。

【1】Xing Y et al, 2021 Journal of Physics D: Applied Physics 54 34

【2】Xing Y et al, 2022 Journal of Physics D: Applied Physics 55 50

 

研究内容:

本文基于±320 kV GIL搭建微粒观测平台,所使用的金属微粒分为铝球、铝块、铝线三类,铝球微粒的直径为0.5mm、1mm、2mm;铝块微粒是以直径为0.5mm、1mm、2mm的球为外接球的不规则块状颗粒;铝线是直径为0.5mm、长度为5mm、10mm、15mm的圆柱形微粒。施加电压时采用相机对微粒运动情况进行拍摄,并同步记录此时施加电压的情况。试验平台及微粒如下图所示:

金属微粒最低起跳电压为-190 kV,远低于GIL稳态运行电压。球状和块状微粒起跳后在导体之间做往复运动,且块状微粒靠近盆式绝缘子时,有概率被吸引并吸附于盆式绝缘子表面。线性微粒则在高压导体做飞萤运动,有时甚至固定直立于高压导体。

表面覆膜对提升金属微粒起跳电场,降低微粒起跳概率有明显的作用。试验结束后,微粒总的起跳数量仅有13.3%左右。

通过结合微粒陷阱下方的微粒空间分布图进行补充判断,从远离绝缘子一侧的端部作为x轴起点,以该段陷阱长度所捕获的微粒数量占陷阱下方全部微粒数量的百分比作为微粒分布曲线的y轴。研究发现,当孔隙率由12.1%提高到19.5%后,微粒分布曲线中的斜率最大点左移;95%微粒所到达的陷阱临界点左移;这表明孔隙率增加,微粒进入绝缘子附近区域的概率减少。

本文主要概括了在±320 kV GIL中开展的微粒运动特征及抑制方法初步试验结果。团队未来将进一步围绕适用于超、特高压直流GIL的微粒陷阱、覆膜等技术进行深入探索,为未来直流气体绝缘设备开发奠定基础。


作者介绍

庄伟建

清华大学

  • 庄伟建,清华大学2021级博士研究生,研究方向为GIS/GIL中微粒运动及抑制方法。
 

李传扬  助理研究员

清华大学

  • 李传扬,清华大学助理研究员,研究方向为直流GIS/GIL关键绝缘技术及装备研发。
 

张波  教授

清华大学

  • 张波,清华大学教授,研究方向为计算电磁学、输变电技术及电磁兼容技术。
 

何金良  教授

清华大学

  • 何金良,清华大学教授,研究方向为先进电能传输技术、电力传感技术、智能绝缘材料及装备等。

期刊介绍

Journal of Physics D: Applied Physics

  • 2021年影响因子:3.409  Citescore:5.7
  • Journal of Physics D: Applied Physics(JPhysD,《物理学报D:应用物理》)发表应用物理各领域的前沿研究和综述,具体包括:应用磁学和磁性材料、半导体和光子学、低温等离子体和等离子表面相互作用、凝聚态物理、表面科学和纳米结构、生物物理以及能源等六个领域。文章类型包括原创性论文、研究路线图、通讯以及每年针对热点研究的专题综述和特刊。