JPhysD编辑优选:基于Janus TMDs范德华异质结用于水分解制氢的高效光催化剂

08 4月 2020 gabriels
本文来自东南大学汤文成教授(第一作者:任凯,通讯作者:汤文成和孙明磊)带领的研究团队。通过研究发现,Janus MoSSe/XN(X= Ga, Al)范德华异质具有以下特性:

  • 动力学稳定性和热力学稳定性;
  • II型能带结构可以有效分离光生电子和空穴,并且合适的带边位置能在pH0下诱发水的氧化还原反应;
  • 高载流子迁移率;
  • 在紫外和可见光范围内都具有优异的光吸收能力。

文章介绍

High-Efficiency Photocatalyst for Water Splitting: A Janus MoSSe/XN (X = Ga, Al) van der Waals Heterostructure

Kai Ren(任凯), Sake Wang(汪萨克), Yi Luo(骆义), Jyh-Pin Chou(周至品), Jin Yu(于金), Wencheng Tang(汤文成) and Minglei Sun(孙明磊)

Figure 3

(a)和(c)为MoSSe/GaN和MoSSe/AlN范德华异质结的声子谱。(b)和(d)为MoSSe/GaN和MoSSe/AlN范德华异质结在300 K下弛豫10 ps的结构图。

Figure 4

(a)和(c)为HSE计算的MoSSe/GaN和MoSSe/AlN范德华异质结的投影能带结构,红色和蓝色分别表示MoSSe和XN (X= Ga, Al)的贡献,费米能级为0;(b)和(d)为MoSSe/GaN和MoSSe/AlN范德华异质结的局域电荷密度。

Figure 5

(a)MoSSe/XN (X= Ga, Al)范德华异质结界面上的光生发电子和空穴迁移示意图。(b)MoSSe、GaN、AlN以及MoSSe/XN (X= Ga, Al)范德华异质结的能带边缘位置,其中水的氧化还原电位为pH 0下。

Figure 7

(a)和(c)为MoSSe/GaN和MoSSe/AlN范德华异质结的平均电荷密度差和电荷转移量。(b)和(d)为MoSSe/GaN和MoSSe/AlN范德华异质结的界面电势差降,插图为差分电荷示意图。

Figure 8

MoSSe、GaN、AlN以及MoSSe/XN (X= Ga, Al)范德华异质结的光吸收谱。研究背景:

氢能源被认为是新一代清洁能源,能够缓解世界能源紧张和环境污染的问题。同时,太阳的能量非常高,但利用率普遍较低,因此利用太阳光激发催化剂分解水制氢是非常必要的。由于二维(2D)材料具有较大的比表面积,可以延长光生电荷的寿命,相比于块体半导体材料的光催化剂,二维半导体具有更优越的性能。但是光生电子和光生空穴一起聚集催化剂表面,又会相互影响并重新复合。所以,具有II型能带结构的2D半导体异质结,可以有效地分离光生电子和空穴,这样就使得氧化和还原反应分别在两层进行,从而进一步延长光生电荷的寿命。因此,研究2D半导体异质结作为分解水的光催化剂具有重要意义。

研究成果:

本文基于密度泛函理论,运用第一性原理计算方法,研究了基于MoSSe和XN(X= Ga, Al)的二维范德华异质结的结构、电子、界面和光学性质。通过声子谱和MD的计算,我们发现MoSSe/GaN和MoSSe/AlN 范德华异质结在300 K下具有动力学和热力学稳定性。此外,它们都具有II型能带结构,可以有效地分隔光生电子和空穴。通过HSE06计算出的异质结的能带边缘位置,我们发现其足以保证在pH 0时发生水分解的氧化还原反应。我们还评估了这些层状材料的载流子迁移率,并且MoSSe/GaN范德华异质结显示出非常高的载流子迁移率,特别是空穴沿zigzag方向可达到3651.83 cm2·V-1·s-1。同时,MoSSe/AlN范德华异质结还具有与其他可以用作水分解的光催化剂的2D材料相当的载流子迁移率。此外,在MoSSe/XN(X= Ga, Al)范德华异质结种,GaN和AlN分别贡献0.107和0.158 |e|给MoSSe,它们界面上的电势差降经计算分别为7.03和2.23 eV,这会产生出内置电场,从而进一步防止了光生电子-空穴对的复合。更重要的是,MoSSe/GaN和MoSSe/AlN范德华异质结显示出对太阳光具有出色的光吸收能力。基于这些结果,MoSSe/XN范德华异质结是用于水分解应用的有前途的高效光催化剂。

作者介绍

汤文成 教授

汤文成教授,东南大学机械工程学院教授,博士生导师。主要研究方向为CAD/CAE/CAM/PDM/ERP,长期从事先进制造技术领域的教学和科研工作。近5年以通讯作者发表高水平学术论文约40篇。