Journal of Semiconductors期刊2023年亮点文章

07 6月 2024 gabriels
我们汇总了2023年发表在Journal of Semiconductors(JOS)期刊发表的优秀文章,这些文章体现了期刊的高质量和创新性。

感谢所有的作者和审稿人对JOS期刊的支持!希望您喜欢阅读这一合集。

 

为什么选择在JOS期刊发表您的研究文章?

  • 文章的绝佳之选:JOS期刊展示了广泛的主题范围,欢迎您发表半导体超晶格和微观结构物理,半导体材料物理,包括量子点和量子线在内的新型半导体材料的生长和表征,半导体器件物理,新型半导体器件,集成电路的CAD设计和制造,半导体器件新技术,半导体光电器件及集成,半导体薄膜的生长、表征和应用等领域的研究。
  • 高质量研究:我们提供专业、有建设性和公平的同行评审,可以保证您的研究成为该领域最高质量的研究之一。
  • 对文章的认可:JOS期刊通过奖项认可作者的辛勤工作、奉献精神和卓越表现,您可以与学界分享您的成就。
  • 学会出版社:IOP出版社是一家世界领先的学会出版社,发表物理科学及其他领域的最新和最佳研究。IOP出版社获取的所有利润都将回馈给英国物理学会(IOP),用于支持世界各地的研究、教育和推广。

亮点文章

The twisted two-dimensional ferroelectrics

Xinhao Zhang and Bo Peng 2023 J. Semicond. 44 011002

 

Recent progress on fabrication and flat-band physics in 2D transition metal dichalcogenides moiré superlattices

Xinyu Huang et al 2023 J. Semicond. 44 011901

 

Review of phonons in moiré superlattices

Zhenyao Li et al 2023 J. Semicond. 44 011902

 

Wearable sweat biosensors on textiles for health monitoring

Yuqing Shi et al 2023 J. Semicond. 44 021601

 

Advanced biosensing technologies for monitoring of agriculture pests and diseases: A review

Jiayao He et al 2023 J. Semicond. 44 023104

 

Preparation, properties, and applications of Bi2O2Se thin films: A review

Huayu Tao et al 2023 J. Semicond. 44 031001

 

The recent progress of laser-induced graphene based device applications

Liqiang Zhang et al 2023 J. Semicond. 44 031701

 

Self-healing Au/PVDF-HFP composite ionic gel for flexible underwater pressure sensor

Ruiyang Yin et al 2023 J. Semicond. 44 032602

 

Ferroelectricity of hafnium oxide-based materials: Current status and future prospects from physical mechanisms to device applications

Wanwang Yang et al 2023 J. Semicond. 44 053101

 

Volatile threshold switching memristor: An emerging enabler in the AIoT era

Wenbin Zuo et al 2023 J. Semicond. 44 053102

 

Recent advances in NiO/Ga2O3 heterojunctions for power electronics

Xing Lu et al 2023 J. Semicond. 44 061802

 

Homoepitaxial growth of (100) Si-doped β-Ga2O3 films via MOCVD

Wenbo Tang et al 2023 J. Semicond. 44 062801

 

Advances in mobility enhancement of ITZO thin-film transistors: a review

Feilian Chen et al 2023 J. Semicond. 44 091602

 

Interface engineering yields efficient perovskite light-emitting diodes

Rashid Khan et al 2023 J. Semicond. 44 120501

 

Multiple SiGe/Si layers epitaxy and SiGe selective etching for vertically stacked DRAM

Zhenzhen Kong et al 2023 J. Semicond. 44 124101


期刊介绍

Journal of Semiconductors

  • 2022年影响因子:5.1  Citescore:6.2
  • Journal of Semiconductors(JOS,《半导体学报》)由中国电子学会和中国科学院半导体研究所共同出版,涵盖半导体物理、材料、器件、电路及相关技术的最新成果和发展动态。JOS涉及内容范围广泛,包括:传统半导体的物理、材料和器件;基于有机和钙钛矿半导体的光电器件;光电器件和集成;微电子器件和(集成)电路;半导体自旋电子学;柔性电子学;半导体和新能源;宽带隙半导体;半导体量子器件和物理;二维材料和相关物理和设备等。