Journal of Semiconductors期刊2025年度亮点文章
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- 半导体超晶格与微结构物理
- 半导体材料物理
- 新型半导体材料(包括量子点、量子线)的生长与表征
- 半导体器件物理
- 新型半导体器件
- 集成电路的CAD设计与制造
- 半导体器件新技术
- 半导体光电子器件与集成
- 半导体薄膜的生长、表征与应用
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- 获得学术认可:JOS期刊通过多项奖项表彰研究人员的努力与卓越贡献,帮助您向学术界展示研究成果与影响力。
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亮点文章
Room-temperature electrically injected GaN-based photonic-crystal surface-emitting lasers
Tong Xu et al 2025 J. Semicond.46 090501
Siqi Liu et al 2025 J. Semicond. 46 062304
Chentai Cao et al 2025 J. Semicond. 46 052805
Napasuda Wichaiyo et al 2025 J. Semicond.46 042104
6-inch AlN epitaxial films with low dislocation densities via MOCVD
Shunpeng Lu et al 2025 J. Semicond.46 022501
Reconfigurable organic ambipolar optoelectronic synaptic transistor for information security access
Xinqi Ma et al 2025 J. Semicond. 46 022406
Pu Guo et al 2025 J. Semicond.46 021405
Recent progress on elemental tellurium and its devices
Jiachi Liao et al 2025 J. Semicond. 46 011605
Recent progress on stability and applications of flexible perovskite photodetectors
Ying Hu et al 2025 J. Semicond. 46 011601
期刊介绍

- 2024年影响因子:5.3 Citescore:7.8
- Journal of Semiconductors(JOS,《半导体学报》)由中国电子学会和中国科学院半导体研究所共同出版,涵盖半导体物理、材料、器件、电路及相关技术的最新成果和发展动态。JOS涉及内容范围广泛,包括:传统半导体的物理、材料和器件;基于有机和钙钛矿半导体的光电器件;光电器件和集成;微电子器件和(集成)电路;半导体自旋电子学;柔性电子学;半导体和新能源;宽带隙半导体;半导体量子器件和物理;二维材料和相关物理和设备等。