IOP出版社联手松山湖材料实验室推出全新开放获取期刊——Materials Futures

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特刊详情 主题范围 Sustainability Science and Technology is delighted to launch a new collection, Rising Stars in Sustainability, dedicated to spotlighting the innovative work of emerging researchers in all areas of sustainability science and technology. This collection is designed to celebrate and promote early career researchers who have completed their PhD within the last ten years...

本研究来自中国科学院半导体研究所郑婉华院士团队刘安金课题组。本研究证实了室温连续电注入有源光栅-DBR超结构中存在布洛赫表面波对称模和反对称模，并提出引入异质结构减小模式损耗。 文章介绍 Active resonant modes in the metastructure composed of a surface subwavelength grating and a vertically layered structure Chenxi Hao（郝晨曦）, Jing Zhang（张靖）, Bo Yang（杨波）, Minglu Wang（王鸣禄）, Wanhua Zheng（郑婉华） and Anjin Liu（刘安金） 通讯作者： 刘安金，中国科学院半导体研究所   研究背景： 由亚波长光栅和有限对数分布式布拉格反射镜（DBR）构成的超结构（简称光栅-DBR超结构）具有独特的光学性能。由于平移对称性被打破，有限对数DBR中存在布洛赫表面波（Bloch surface wave，简称BSW）。在有限对数DBR上表面引入一维亚波长光栅，光栅-DBR超结构在Г点形成两个带边模式：对称模式具有高损耗；反对称模式是连续域中的束缚态，具有高品质因子，同时具有表面发射的分量。这种光栅-DBR超结构有望实现基于BSW的单模、高效、大功率、低发散角面发射激光器，且制作简单。本文设计、制作并优化了有源光栅-DBR超结构，测试结果表明，室温连续电注入条件下有源光栅-DBR超结构中存在BSW对称模和反对称模，为实现基于BSW的面发射激光器奠定了基础。   研究内容： 本文研究的有源光栅-DBR超结构由一维亚波长光栅、低折射率层、垂直多层结构、p电极和n电极构成。有限对数DBR的平移对称性被含有量子阱的顶层打破，使垂直多层结构中存在BSW。   图1 有源光栅-DBR超结构、色散、BSW场分布   在图1所示的低折射率层上方引入140 nm厚的表面亚波长光栅。在x方向引入横向周期，BSW色散曲线以kx=K/2为对称轴折叠。光栅-DBR超结构在kx=0处有2个带边模式，如图2所示，其中对称模式频率为320.2 THz (936.9 nm)，反对称模式频率为317.7 THz (944.3 nm)。反对称模式具有高品质因子，在x方向分布反馈形成驻波，且具有垂直衍射分量实现面发射。  ...

特刊详情 客座编辑 Chunjiang An，加拿大康考迪亚大学 Pethie Lyons，澳大利亚联邦科学与工业研究组织 赵珊，山东大学   主题范围 Indigenous communities have cultivated profound and reciprocal relationships with their environments for millennia, fostering sustainable practices rooted in traditional ecological knowledge (TEK). These knowledge systems, deeply embedded in cultural traditions and oral histories, have long guided resource management, conservation, and climate adaptation strategies. Despite their environmental...

The Institute of Physics Publishing (IOPP) invites applications for the position of Editor-in-Chief for Biomedical Materials (BMM). We are seeking a visionary leader to drive the journal forward and ensure it continues to publish high-quality, impactful research. The starting date for this role is 1 January 2026. About IOP Publishing IOP Publishing is a purpose-driven organization that...

欢迎阅读Journal of Semiconductors（JOS）期刊2024年度亮点文章，深入了解半导体物理、材料、器件、电路等领域的最新研究进展。我们精心挑选了2024年发表的高影响力文章，帮助您全面了解作者们的卓越科研成果。得益于IOP出版社严格的同行评审过程，您可以放心获取高质量、可信赖的研究内容。同时，选择在JOS发表论文，您还将获得以下优势： 🎖️获得学术认可：JOS期刊通过设立奖项，认可作者的辛勤付出与卓越贡献，帮助作者广泛传播研究成果。 🏡 为您的论文找到理想归属：JOS期刊涵盖广泛的研究主题，为您的研究成果提供多样化的发表平台，提升文章被接收的可能性。 🌏 支持全球物理研究、教育与科普事业：作为领先的物理学学术出版机构，IOP出版社将其所有出版收益回馈给英国物理学会（Institute of Physics），以推动全球物理科学的发展。 📢 准备好开启您的文章发表之旅了吗？点击此处链接，查看2024年亮点文章。 亮点文章 Anisotropic etching mechanisms of 4H-SiC: Experimental and first-principles insightsGuang Yang et al 2024 J. Semicond. 45 012502   240 nm AlGaN-based deep ultraviolet micro-LEDs: size effect versus edge effect Shunpeng Lu et al 2024 J. Semicond. 45 012504   Two-step growth of β-Ga2O3 on c-plane sapphire using MOCVD for solar-blind photodetector Peipei Ma et al 2024 J. Semicond. 45 022502  ...