
JPCM编辑优选:Cr2SiTe4 和Cr2GeTe4单层:二维本征高温铁磁半导体
本篇研究来自河南大学王冰和扬州大学张秀云课题组。本文利用第一性原理计算方法设计了两种二维高温伊辛铁磁半导体:Cr2XTe4(X = Si,Ge)单层。该单层具有较高的居里温度、高的自旋极化和大磁各向异性能。研究结果表明其居里温度分别高达180K和170K,且它们都是直接带隙半导体材料,其磁各向异性能约为500 μeV。这些优异的特性使得它们成为自旋电子学应用中有前途的候选材料。 文章介绍 Cr2XTe4 (X = Si, Ge) monolayers: a new type of two-dimensional high-TC Ising ferromagnetic semiconductors with a large magnetic anisotropy Yihang Bai, Rui Shi, Yaxuan Wu, Bing Wang(王冰) and Xiuyun Zhang(张秀云) 通讯作者: 王冰, 河南大学 张秀云,扬州大学 1. 稳定性及电子结构分析 图1. (a) Cr2XTe4 (X = Si,Te)单层的晶体结构;(a)自旋电荷密度图;(c)室温下两种结构随时间的能量变化;(d)声子谱。 Cr2XTe4(X = Si,Te)单层是四方相结构,其主要净自旋电荷分布在Cr元素周围,Te元素周围分布少量相反自旋电荷。材料磁性源自过渡金属Cr元素。室温下随时间的变化能量波动较小,证实了其具有良好的热稳定性。此外在整个布里渊区中,声子谱没有虚频,也证明了它们动力学的稳定性。 图2. Cr2XTe4(X = Si,Te)单层的电子能带结构与占据成分。 Cr2XTe4(X = Si,Te)单层是具有大约1eV的铁磁半导体;价带顶与导带底主要由Cr-d与Te-p轨道贡献且贡献大小接近。这意为着伴随p-d杂化的强烈的Cr-Te相互作用。 2. 磁各向异性与磁交换作用...