
JPCM编辑优选:华中科技大学发表半导体能带算法长篇综述
本篇研究来自华中科技大学薛堪豪课题组。本文回顾了固体能带计算的历史,分析了密度泛函理论带隙问题的根源,建立各种解释之间的联系,并对方法的未来发展趋势进行展望。 文章介绍 DFT-1/2 and shell DFT-1/2 methods: electronic structure calculation for semiconductors at LDA complexityGe-Qi Mao(毛格齐), Zhao-Yi Yan(鄢诏译), Kan-Hao Xue(薛堪豪), Zhengwei Ai(艾正蔚), Shengxin Yang(杨晟鑫), Hanli Cui(崔寒立), Jun-Hui Yuan(袁俊辉), Tian-Ling Ren(任天令) and Xiangshui Miao(缪向水) 通讯作者: 薛堪豪,华中科技大学集成电路学院 近期,应IOP出版社旗下Journal of Physics: Condensed Matter期刊编辑的邀请,华中科技大学集成电路学院缪向水、薛堪豪团队撰写了关于DFT-1/2以及shell DFT-1/2新型能带计算方法的长篇综述论文。这篇38页的论文DFT-1/2 and shell DFT-1/2 methods: electronic structure calculation for semiconductors at LDA complexity回顾了固体能带计算的历史,分析了密度泛函理论带隙问题的根源,建立各种解释之间的联系。特别是,针对巴西圣保罗大学费雷拉教授等人于2008年提出的DFT-1/2能带计算方法,薛堪豪教授等人从固体的基本哈密顿量出发进行了详细的数学推导,特别是强调了其自能势形式的物理来源,推导过程的变量标记与Richard Martin的Electronic Structure经典论著严格保持一致。文章阐明了薛堪豪教授于2018年提出的shell DFT-1/2改进方法的基本思路与其应用效果,并介绍了DFT-1/2的其他重要发展。在带隙修正的层面上,我们还比较了DFT-1/2与杂化泛函、sX-LDA、GW、电子自相互作用修正(SIC)、Koopmans-compliant泛函、剪刀算符、DFT+U、Delta-sol等其他方法之间的联系与区别。论文展示了(shell) DFT-1/2是特别适合于微电子、光电子等领域的半导体能带计算方法,列举了诸多成功应用实例,并分析了方法可能的局限性。该论文将吸引更多学者关注DFT-1/2与shell DFT-1/2计算方法,拓展其具体应用,并为方法的进一步发展指明方向。 图1.半导体带隙的定义(φ-χ)以及shell DFT-1/2的实空间自能修正 ...