02 Apr 2020
JPhysD编辑优选:外偏压法抑制Cu2O/Au肖特基光电探测器暗电流并应用于高信噪比成像
IOP出版社推出“JPhysD期刊编辑优选”系列文章。为了更好地为各位读者带来高质量的研究内容和帮助作者提高其研究的影响力和曝光量,JPhysD期刊的编委团队将甄选近期发表的优秀文章,联系作者提供相关的文章解读。IOP出版社微信公众号将陆续推出系列文章,敬请期待。 系列第一篇文章来自暨南大学物理系麦文杰教授和赵传熙副教授(第一作者:刘于金,朱峻冬)带领的团队。研究通过外加偏压的方法有效地降低了Cu2O/Au肖特基光电探测器的暗电流,并且成功提升了透射扫描成像系统的图像信噪比。该方法具有操纵简便,容易实现等优点,不需要对材料进行表界面修饰即可获得较高开关比,有望应用于其他新型肖特基型光电子器件中。 文章介绍 Reducing the Dark Current of Cuprous Oxide/Au Schottky Photodetector for High Signal-to-noise Ratio Imaging Yujin Liu, Jundong Zhu, Dawei Xie, Yuxin Gao, Yong Yan, Wanjun Li, Zhong Ji, Chuanxi Zhao and Wenjie Mai 图1 电沉积法可控制备氧化亚铜薄膜:形貌与结构表征 a)不同厚度Cu2O薄膜的SEM图片(插图为对应光学照片); b) 电沉积电荷量与薄膜厚度的关系曲线,通过控制电荷量可精准控制Cu2O薄膜厚度; c)不同厚度Cu2O薄膜的晶粒尺寸统计分布图,随着薄膜厚度增加,薄膜晶粒逐渐变大; d)不同厚度Cu2O薄膜的XRD谱,随着厚度增加,薄膜出现择优取向。 图2 氧化亚铜光电探测器的制备与响应特性测试 a, b)Cu2O/Au肖特基光电探测器的结构示意图和能带图;c)不同氧化亚铜薄膜厚度的器件的光响应曲线(I-T); d, e)器件光电流,暗电流和开关比随薄膜厚度变化曲线。 图3 通过外加偏压降低器件的暗电流 a)器件在不同偏压下的光电流暗电流曲线;b)器件在1 V, 0 V和-120...