
NANO编辑优选:利用HfO2中钇层扩散和金属接触提升 N 型CNTFET性能
本篇研究来自西安交通大学吴胜利和牛刚课题组。本文采用介电层优化策略,将氩气退火下金属钇层在HfO2介电层中扩散和金属接触相结合,提升了碳纳米管晶体管的n型传输性能。通过进一步更换低功函数Cr作为源极和漏极,获得了具有理想的开关比(105)、相对较低的SS(92mV/dec)和Vth(~0.38V)的n型CNTFET。并基于TOF-SIMs测试从微观层面分析了电子传导增强机制,这项工作提出了可控且易于大规模兼容的n型碳纳米管晶体管策略,在可靠的低功耗集成电路制造方面有巨大的应用前景。 文章介绍 Improvement of N-type carbon nanotube field effect transistor performance using the combination of yttrium diffusion layer in HfO2 dielectrics and metal contacts Zhenfei Hou(侯振非), Gang Niu(牛刚), Jie Li(李洁) and Shengli Wu(吴胜利) 通讯作者: 吴胜利,西安交通大学电子与信息学部、电子科学与工程学院电子物理与器件教育部重点实验室 牛刚,西安交通大学电子与信息学部、电子科学与工程学院电子材料研究实验室、机械制造系统工程国家重点实验室 研究背景: 碳纳米管网络薄膜易于制备且可实现晶圆级制造得到广泛关注。基于碳纳米管薄膜的p型和n型晶体管对于获得低功耗互补金属氧化物半导体(CMOS)电路至关重要。然而,实现高质量、可扩展的n型CNTFET仍然是一个挑战。尽管已经研究了几种实现n型CNTFET的方法。包括接触优化以实现n型CNTFET,使用富电子有机物等作为电子供体和具有固定正电荷的氮化物(SiNx,AlN薄膜)的电荷转移等掺杂策略实现电子掺杂从而得到n型CNTFET。特别是栅极电介质在提高器件性能、满足高速低功耗应用方面起着至关重要的作用。采用HfO2电介质和延伸掺杂的顶栅结构是实现优异n型导电的有效方法。深入研究介电层和接触特性对于开发高性能具有延伸掺杂的顶栅 n 型 CNTFET 具有重要意义。 研究内容: 图1 器件结构及TOF-SIMS测试结果 为了验证沿介电层表面元素在垂直方向的微观变化,我们对退火前和退火后的Y3器件进行了 TOF-SIMs 分析,有力证明钇层在氩气退火过程中发生了扩散现象。测试结果如图1。退火后,揭示了钇层向 HfO2和介电层亚表面之间的相互扩散。SIMs 剖面表明(i)Y 扩散到退火的 HfO2中;(ii)Y 穿过晶体HfO2(氩气退火)扩散到中间界面层,对HfO2化学计量或晶体结构仅产生轻微影响。Y扩散到HfO2中后产生氧空位,从而对沟道区域进行静电掺杂,导致电子导电性增强。 图2...