
JPhysD编辑优选:中科大龙世兵教授团队在氧化镓肖特基势垒调控方面取得新进展
本篇研究来自中国科学技术大学龙世兵课题组。本文通过磁控溅射工艺在氧化镓单晶表面沉积氧化铂电极,氧化铂结晶形成氧化铂多晶,首次观测到氧化铂多晶中存在电偶极子,经过测试分析后得出结论,该电偶极子是导致肖特基势垒升高的原因,为提高肖特基势垒高度提供新的思路。 文章介绍 Elevated barrier height originated from electric dipole effect and improved breakdown characteristics in PtOx/β-Ga2O3 Schottky barrier diodesGuangzhong Jian(菅光忠), Weibing Hao(郝伟兵), Zhongyu Shi(石中玉), Zhao Han(韩照), Kai Zhou(周凯), Qi Liu(刘琦), Qiming He(何启鸣), Xuanze Zhou(周选择), Chen Chen(陈陈), Yanguang Zhou(周艳光), Xiaolong Zhao(赵晓龙), Guangwei Xu(徐光伟), and Shibing Long(龙世兵) 通讯作者: 徐光伟,中国科学技术大学微电子学院 本研究发现,随着氧化铂电极中氧组分的升高,器件的势垒高度逐渐增加,但开尔文探针显微镜测量表明电极的功函数差别不大,如图1所示,说明势垒的升高并非来源于电极功函数的变化,同时排除了费米能级钉扎效应的影响。 图1 不同氧化铂电极的势垒高度和功函数 随着氧化铂电极厚度从3、6、9增加到12nm,器件的势垒高度也逐渐增大,这种变化趋势与电偶极子效应非常类似。观察发现,肖特基界面的氧化铂会结晶形成多晶,并且其中的铂离子和氧离子呈层状交替排列,离子层平行于氧化镓表面,如图2所示。 图2 肖特基界面处的氧化铂呈层状交替排列并有一定的取向性 这种离子层的交替排列,导致氧化铂多晶中存在电偶极子,影响到界面处载流子的跃迁,使得肖特基势垒升高,如图3所示。 图3 肖特基界面处的能带示意图...